-
1 buried oxide
oxide masking — маскирование оксидом; защита оксидом
-
2 buried oxide
Большой англо-русский и русско-английский словарь > buried oxide
-
3 buried oxide
электрон. углублённый оксид -
4 buried oxide
Электроника: углублённый оксид -
5 buried oxide
Makarov: BOX -
6 buried oxide
заглиблений (прихований) оксидEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > buried oxide
-
7 buried oxide
English-Russian dictionary of microelectronics > buried oxide
-
8 buried oxide
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > buried oxide
-
9 buried oxide isolation technique
English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics > buried oxide isolation technique
-
10 buried-oxide MOS
МОП-структура с углубленным оксидным слоемБольшой англо-русский и русско-английский словарь > buried-oxide MOS
-
11 buried-oxide MOS structure
МОП-структура со скрытым оксидомБольшой англо-русский и русско-английский словарь > buried-oxide MOS structure
-
12 buried-oxide MOS transistor
МОП-транзистор с углубленным оксидомБольшой англо-русский и русско-английский словарь > buried-oxide MOS transistor
-
13 buried-oxide MOS
Англо-русский словарь технических терминов > buried-oxide MOS
-
14 buried-oxide MOS structure
Англо-русский словарь технических терминов > buried-oxide MOS structure
-
15 buried-oxide MOS transistor
Англо-русский словарь технических терминов > buried-oxide MOS transistor
-
16 buried oxide MOS
-
17 buried-oxide MOS
-
18 buried-oxide MOS structure
Техника: МОП-структура со скрытым оксидомУниверсальный англо-русский словарь > buried-oxide MOS structure
-
19 buried-oxide MOS transistor
1) Техника: МОП-транзистор с углублённым оксидом2) Микроэлектроника: МОП-транзистор с углублённым оксидным слоемУниверсальный англо-русский словарь > buried-oxide MOS transistor
-
20 buried-oxide isolation process
Электроника: технология изоляции ИС углублённым оксидомУниверсальный англо-русский словарь > buried-oxide isolation process
См. также в других словарях:
buried oxide — paslėptasis oksidas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried oxide vok. vergrabenes Oxid, n rus. скрытый оксид, m pranc. oxyde caché, m; oxyde plongé, m … Radioelektronikos terminų žodynas
buried-oxide isolation process — izoliavimo paslėptuoju oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried oxide isolation process vok. Isolation mittels vergrabenem Oxid, f rus. технология изоляции углублённым оксидом, f pranc. procédé d isolation… … Radioelektronikos terminų žodynas
local buried-oxide isolation — vietinis izoliavimas paslėptuoju oksidu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. local buried oxide isolation vok. lokale Isolation durch vergrabenes Oxid, f rus. локальная изоляция со скрытым оксидом, f pranc. isolation locale par… … Radioelektronikos terminų žodynas
buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
buried-channel MOS structure — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
Mixed metal oxide electrode — Mixed metal oxide (MMO) electrodes are devices with useful properties for chemical electrolysis. The term refers to electrodes in which the surface contains two kinds of metal oxides. One kind, usually RuO2, IrO2, or PtO0.12, conducts electricity … Wikipedia
Mixed metal oxide — (MMO) electrodes are devices with useful properties for chemical electrolysis. The term refers to a mixture of platinum group metals used to form the surface of the electrode, which provides efficient electrolytic action while resisting corrosion … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
SOI MOSFET — In electronics, an SOI MOSFET semiconductor device is a Silicon on Insulator (SOI) MOSFET structure in which a semiconductor layer, e.g. silicon, germanium or the like, is formed above an insulator layer which may be a buried oxide (BOX) layer… … Wikipedia
Hot carrier injection — is the phenomenon in solid state devices or semiconductors where either an electron or a hole gains sufficient kinetic energy to overcome a potential barrier, becoming a hot carrier , and then migrates to a different area of the device. The term… … Wikipedia
Optical modulators using semiconductor nano-structures — Contents 1 Optical modulators using semiconductor nano structures 1.1 Electro optic modulator of nano structures 1.2 Acousto optic modulator of nano structures … Wikipedia